电子元器件失效原因解析
本页面系统介绍电子元器件失效分析的原理与方法，重点阐述高温老化测试在可靠性评估中的作用，包括电迁移、栅氧化层击穿、热载流子效应等常见失效机制，覆盖各类IC产品如CPU、GPU、PMIC、车规芯片等。通过对测试标准（JEDEC、AEC-Q100）及服务周期的详尽解析，为产品设计验证、工艺改进和量产阶段的失效预防提供专业技术支持和数据依据。
芯片高温老化测试(HTOL)方法与标准
深入了解芯片高温老化测试(HTOL)的原理、详细流程、JEDEC等关键标准要求及应用。掌握确保芯片长期可靠性的核心测试技术。
封装与材料分析
提供专业的芯片封装与材料分析服务。通过X射线、剖面、SEM/EDX、FTIR等技术，解析封装结构，鉴定材料成分，评估工艺质量与可靠性。
IC失效机理分析
提供专业的IC失效机理分析服务。深入探究芯片失效的物理或化学根源（如电迁移、TDDB、腐蚀等），为设计优化和工艺改进提供根本性解决方案。
高温高湿测试(HAST)
专业高温高湿测试服务(THB/HAST)，评估芯片在高湿热环境下的性能与可靠性。通过模拟严苛温湿度条件，测试芯片的抗湿、防腐蚀能力及工作稳定性，确保产品在实际应用中的长期可靠运行。
温度循环测试(TC)
温度循环测试服务，验证芯片在温度变化环境中的可靠性。通过模拟芯片在不同温度环境下的快速切换，评估芯片封装、焊接和材料在温度变化下的稳定性，发现潜在的质量问题。
