失效分析

深入解析芯片电过载（EOS）与静电放电（ESD）失效的本质差异，从波形特征、损伤形貌、测试条件三大维度进行对比，提供实用识别方法，避免工程误判。适用于IC设计、可靠性测试与失效分析工程师。关键词：EOS, ESD, 芯片失效分析。