芯片失效分析中的被动电压对比（PVC）技术
详解被动电压对比（PVC）技术在芯片开路与高阻故障定位中的应用，介绍其无源、非破坏性检测原理、操作流程及与其他定位方法的协同策略。关键词：PVC, 芯片失效分析。
芯片金属腐蚀失效的环境诱因与FA证据
深入解析氯离子（Cl⁻）、二氧化硫（SO₂）等环境污染物如何诱发芯片铝/铜金属腐蚀，结合SEM形貌与EDS元素分析，揭示典型失效特征与根因判断依据。关键词：金属腐蚀, 芯片失效分析。
芯片失效分析中的热阻（Thermal Resistance）测试
深入解析热阻在芯片失效分析中的关键作用，介绍主流测量方法、测试流程及其对功率器件可靠性的影响，帮助工程师通过热性能评估精准定位失效根因。关键词：热阻测试, 芯片失效分析, 功率芯片。
芯片电化学迁移（ECM）失效分析与预防
深入解析芯片在潮湿环境中因电化学迁移（ECM）导致短路的失效机理，涵盖金属离子溶解、枝晶生长过程、典型形貌特征及系统性预防策略，适用于封装可靠性与失效分析工程师。关键词：电化学迁移, 芯片失效分析。
芯片电迁移（Electromigration）失效机理全解析
深入剖析芯片电迁移（Electromigration）的物理机制、Black’s方程加速模型、寿命预测方法及设计规避策略，助力IC工程师提升互连可靠性。适用于先进工艺节点下的可靠性设计与失效分析。关键词：电迁移, 芯片失效分析, 可靠性寿命。
芯片电过载（EOS）与ESD失效的区别与识别方法
深入解析芯片电过载（EOS）与静电放电（ESD）失效的本质差异，从波形特征、损伤形貌、测试条件三大维度进行对比，提供实用识别方法，避免工程误判。适用于IC设计、可靠性测试与失效分析工程师。关键词：EOS, ESD, 芯片失效分析。
芯片物理分析
提供专业的芯片物理分析服务。通过开封、剖面、SEM等技术，检查芯片内部结构，用于失效分析(FA)、DPA和工艺评估，提供直观物理证据。
芯片故障分析
提供专业的芯片故障分析(FA)服务。利用先进设备和技术，定位芯片失效根本原因，涵盖电学、物理及化学分析，助力良率提升与质量改进。