EOS（电气过载）与 ESD（静电放电）致芯片烧毁的失效形态鉴别

本文围绕EOS电气过载与ESD静电放电导致芯片烧毁的失效形态，梳理能量特征、损伤位置、烧蚀形貌、端口击穿与金属熔融等差异，并给出电性定位、开封检验、显微观察、热成像与截面分析的鉴别路径，帮助工程师准确判定失效原因，区分封装级烧毁、键合线熔断与芯片内部静电击穿的边界，为可靠性改善、来料判定与工艺整改提供依据。

2026年9月2日 公司新闻